دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 57721
ترجمه فارسی عنوان مقاله

ترانزیستور- پارامتریزاسیون و طراحی بهینه سازی برای حداقل چرخش زیررویی به طور جزئی تخلیه سیلیکون بر روی فیبر عایق

عنوان انگلیسی
Partially Depleted Silicon-on-Ferroelectric Insulator Field Effect Transistor- Parametrization & Design Optimization for Minimum Subthreshold Swing
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
57721 2015 7 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Journal, Volume 46, Issue 10, October 2015, Pages 981–987

ترجمه کلمات کلیدی
دستگاه سیلیکون بر روی مقره، عایق فویل آلومینیومی، خازن منفی، منطق زیرمجموعه، نوسان زیر باریک
کلمات کلیدی انگلیسی
Partially depleted silicon-on-insulator device; Ferroelectric insulator; Negative capacitance; Subthreshold logic; Subthreshold swing

چکیده انگلیسی

This paper presents the concept of a new field effect transistor based on ferroelectric insulator. The proposed design is named Partially Depleted Silicon-on-Ferroelectric Insulator Field Effect Transistor (PD-SOFFET). The design combines the concepts of negative capacitance in ferroelectric material and silicon-on-insulator (SOI) device. The structure varies from the conventional SOI technology by substituting the buried SiO2 with a layer of ferroelectric insulator. This new material stack can extract an effective negative capacitance (NC) in the body of the device. The NC effect can provide internal signal boosting. It is demonstrated that the subthreshold swing and the threshold voltage of the proposed device can be lowered by carefully selecting the doping density, the types of the gate oxide and the thicknesses of the ferroelectric film, the silicon layer above the buried insulator and the gate oxide. Lower subthreshold swing is a prime requirement for ultra-low-power design. This paper focuses on studying several parameters to tune the subthreshold swing of the SOFFET device. We have recently introduced the concept of the new transistor, SOFFET, with ferroelectric insulator embedded inside the silicon substrate to lower the subthreshold swing. This paper investigates the impacts of different oxide materials, ferroelectric thicknesses and doping profiles on the negative capacitance inside the body of the proposed PD-SOFFET. It is observed that some emerging gate oxide materials can improve subthreshold flexibility, lower leakage and provide better control over the channel in the proposed device.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.