ترجمه فارسی عنوان مقاله
نگرانی قابلیت اطمینان و طراحی برای ترانزیستور دو قطبی دروازه عایق جانبی بر اساس لایه SOI
عنوان انگلیسی
Reliability concern and design for the lateral insulator gate bipolar transistor based on SOI substrate
کد مقاله | سال انتشار | تعداد صفحات مقاله انگلیسی |
---|---|---|
57803 | 2013 | 8 صفحه PDF |
منبع
Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)
Journal : Solid-State Electronics, Volume 85, July 2013, Pages 28–35
ترجمه کلمات کلیدی
مسائل قابلیت اطمینان؛ طرح؛ ترانزیستور دو قطبی دروازه عایق جانبی
کلمات کلیدی انگلیسی
Lateral insulated gate bipolar transistor on SOI substrate (SOI-LIGBT); Reliability issues; Design