دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 57803
ترجمه فارسی عنوان مقاله

نگرانی قابلیت اطمینان و طراحی برای ترانزیستور دو قطبی دروازه عایق جانبی بر اساس لایه SOI

عنوان انگلیسی
Reliability concern and design for the lateral insulator gate bipolar transistor based on SOI substrate
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی
57803 2013 8 صفحه PDF
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 85, July 2013, Pages 28–35

ترجمه کلمات کلیدی
مسائل قابلیت اطمینان؛ طرح؛ ترانزیستور دو قطبی دروازه عایق جانبی
کلمات کلیدی انگلیسی
Lateral insulated gate bipolar transistor on SOI substrate (SOI-LIGBT); Reliability issues; Design
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله  نگرانی قابلیت اطمینان و طراحی برای ترانزیستور دو قطبی دروازه عایق جانبی بر اساس لایه SOI

چکیده انگلیسی

In this paper, the reliability issues of the lateral insulator gate bipolar transistor based on SOI substrate (SOI-LIGBT), including the anode punch-through, the terminal early breakdown, the hot-carrier degradation and the latch-up failure, have been experimentally investigated and improved. The measurement results and the T-CAD simulations demonstrate that the proposed device owns higher reliability, which can be applied well as the output driver device of the power ICs.