دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 78506
ترجمه فارسی عنوان مقاله

مدل سازی برنامه فلش با استفاده از تکنیک های غیر شبه استاتیک و تونل زنی

عنوان انگلیسی
Flash program modeling using nonquasi-static and tunneling techniques
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
78506 2012 5 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 3815 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 70 تومان 7 روز بعد از پرداخت 267,050 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 140 تومان 4 روز بعد از پرداخت 534,100 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

سفارش تولید محتوا کد تخفیف 10 درصدی: isiArticles
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volume 96, August 2012, Pages 40–44

ترجمه کلمات کلیدی
فلش مموری؛ مدارات حافظه CMOS - مدل های دستگاه های نیمه هادی؛ شبیه سازی
کلمات کلیدی انگلیسی
Flash memory; MOS memory circuits; Semiconductor device models; Simulation
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله مدل سازی برنامه فلش با استفاده از تکنیک های غیر شبه استاتیک و تونل زنی

چکیده انگلیسی

We present a detailed and accurate physics based transient simulation for modeling flash memory programming characteristics using nonquasi-static and tunneling equations versus the typical Lucky-Electron Model. The result is a set of simple expressions that were originally developed for a MOSFET and adapted for use in floating gate memory. Of greater importance is the extensive use of physical parameters as opposed to the scale factors and probabilities used in other models. This technique allows floating gate memory designers to determine the nominal programming characteristics of single-level and multi-level memory cells prior to the fabrication process. This technique also allows designers to determine the effects of fabrication tolerances on the performance of the memory cell. The accuracy of this model was validated through comparison with experimental data and simulation results presented in several publications.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 3815 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 70 تومان 7 روز بعد از پرداخت 267,050 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 140 تومان 4 روز بعد از پرداخت 534,100 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.