دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 155191
ترجمه فارسی عنوان مقاله

مدلسازی مکانیسم دوبعدی بی ثباتی در ترانزیستورهای فیلم نازک سیلیکونی نازک تحت تنش بیرونی

عنوان انگلیسی
Dual-mechanism modelling of instability in nanocrystalline silicon thin film transistors under prolonged gate-bias stress
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
155191 2018 6 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 4493 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 70 تومان 10 روز بعد از پرداخت 314,510 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 140 تومان 5 روز بعد از پرداخت 629,020 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Thin Solid Films, Volume 651, 1 April 2018, Pages 145-150

ترجمه کلمات کلیدی
ترانزیستور فیلم نازکلیستی سیلیکون نازک، دروازه-تعصب استرس زا، تغییر ولتاژ آستانه، مدل سازی دوگانه، کسر حجمی نانوکریستال،
کلمات کلیدی انگلیسی
Nanocrystalline silicon thin film transistor; Gate-bias stressing; Shift of threshold voltage; Dual-mechanism model; Nanocrystalline volume fraction;
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله  مدلسازی مکانیسم دوبعدی بی ثباتی در ترانزیستورهای فیلم نازک سیلیکونی نازک تحت تنش بیرونی

چکیده انگلیسی

A dual-mechanism model of the threshold voltage (V T) shift is proposed for the plasma deposited hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin film transistors (TFTs) stressed under relatively high gate-bias for ∼ 106 s. ΔV T versus stress time experimental behavior is modelled by accurate fitting of the combination of stretched exponential and logarithmic dependences. Without such superposition as it is commonly done in other works, i.e. by using any single dependence only, no successful fit was obtained for the V T shift data at hand. While the stretched exponential behavior is found to be dominant at short stress times, the logarithmic behavior dominates at long stress times. These mathematically distinct behaviors are demonstrated to be attributed to totally distinct TFT instability mechanisms: defect state creation within the nc-Si:H channel layer and charge trapping in the gate insulator. The relaxation data of the stressed TFTs under room temperature support the simultaneous presence of these mechanisms during stressing. In addition, different nanocrystalline volume fractions of the nc-Si:H channel layers of two TFT sets resulted in different ΔV T versus stress time data, which also supports the dual-mechanism instability model.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 4493 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 70 تومان 10 روز بعد از پرداخت 314,510 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 140 تومان 5 روز بعد از پرداخت 629,020 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.