ترجمه فارسی عنوان مقاله

مطالعه روی تست‌های عملکردیِ دریچه‌های تریستور ادوات FACTS

عنوان انگلیسی

Study on Operational Tests for FACTS Thyristor Valves

کد مقاله	سال انتشار	تعداد صفحات مقاله انگلیسی
52936	2013	8 صفحه PDF

منبع

Publisher : IEEE (آی تریپل ای)

Journal : IEEE Transactions on Power Delivery, Page(s): 1525 - 1532 ISSN : 0885-8977 INSPEC Accession Number: 13583378

فهرست مطالب ترجمه فارسی

شکل9: شکل‌موج‌های شبیه‌سازی شده ولتاژ و جریان دریچه حفاظت شده با BOD.

هماهنگی پارامتری مدار تست

جدول I : پارامترهای الکتریکی مدار MIST

پارامترهای C1 و L1 در جدول فوق مبتنی است بر فرکانس‌های رزونانس 356 Hz، 252 Hz، 151 Hz، 150 Hz و 61 Hz.

جدول II : پارامترهای تزریقی مدار MIST

جدول III : اندازه‌گیری‌های مربوط به افزایش دما

ارزیابی عملی (آزمایشگاهی)

تست افزایش دما

تست اضافه‌جریان

شکل10: شکل‌موج‌های تست جریان و ولتاژ با مسدودکردن دریچه تریستور. (الف) تست اضافه‌جریان 60 Hz. (ب) تست اضافه‌جریان 350 Hz.

شکل11: شکل‌موج‌های تست جریان و ولتاژ با مسدودسازی دریچه تست تریستور. (الف) شکل‌موج‌هاب آزمایشگاهی شرکت ABB. (ب) شکل‌موج‌های آزمایشگاهی شرکت زیمنس.

تست ترکیبی

جدول IV : پارامترهای اصلی تجهیز تست

شکل12. شکل‌موج‌های تست عملکردی روی دریچه TCR مربوط به پروژه وانگژیان.

شکل13. شکل‌موج‌های تست عملکردی دریچه TCSC مربوط به پروژه ییفنگ.

نتیجه‌گیری

ترجمه کلمات کلیدی

دیود break over (BOD)، راکتور شنت ولتاژ بالای کنترل‌پذیر (CSR)، سیستم‌های انتقال ac انعطاف‌پذیر (FACTS)، تست‌های عملکردی، جبرانسازهای استاتیک var (SVC)، مدارهای تست ترکیبی، دریچه تریستور، جبرانسازی سری با تریستور کنترل‌شده (TCSC) -

کلمات کلیدی انگلیسی

Break over diode (BOD) controllable high-voltage shunt reactor (CSR) flexible ac transmission systems (FACTS) operational tests, static var compensators (SVC), synthetic test circuits, thyristor valve, thyristor-controlled series compensation (TCSC),

ترجمه چکیده

در این مقاله مدارهای تست ترکیبی توسعه یافته برای دریچه‌های تریستور سیستم‌های انتقال ac انعطاف‌پذیر (FACTS) بنا شده است. با کنترل دریچه‌های تریستور مدارهای تست ترکیبی، می‌توان تنش‌های تست روی دریچه‌های تریستوری ادوات FACTS را بازتولید کرد، منجمله ولتاژ بالای پیشرو قبل از اینکه دریچه تریستور اضافه جریان را تحمل کند و ولتاژ بازیابی معکوس پس از تحمل اضافه جریان توسط دریچه‌های تریستور، که این تنش‌ها می‌توانند برابر یا بزرگتر از تنش‌هایی باشند که در پروژه‌های تجاری ظاهر می‌شود. با مدارهای تست متناظر و راهبردهای کنترلی، تست افزایش دما، تست اضافه‌جریان و تست ترکیبی برای دریچه‌های تریستور را می‌توان به ترتیب انجام داد. سپس، یک روش حفاظت مدارهای تست ترکیبی ارائه می‌شود. در نهایت، یک پایگاه تست افزایش دما، پایگاه تست اضافه‌جریان، و پایگاه تست ترکیبی برای دریچه‌های تریستور به ترتیب بنا می‌شوند. نتایج تست نشان می‌دهند که مدار توسعه یافته و راهبردهای کنترلی و حفاظتی ارائه شده را می‌توان برای تست دریچه‌های تریستوری به کار رفته در ادوات FACTS به کار گرفت.

ترجمه مقدمه

عملکرد سیستم انتقال ac مسافت طولانی و بین‌ناحیه‌ای معمولا توسط عوامل مختلفی محدود می‌شود. طی ده سال اخیر به مدد استفاده از سیستم‌های انتقال ac انعطاف‌پذیر (FACTS) مثل جبرانسازهای استاتیکی var (SVC) [1]-[3] و جبرانسازی سری با تریستور کنترل‌شده (TCSC) [4]-[7] ، پایداری و اقتصاد سیستم‌های قدرت به نحو چمشگیری بهبود یافته است. کنترلرهای FACTS حتی می‌توانند به طور موثری رزونانس زیرسنکرون (SSR) حاصل از مولد القائی را رفع کنند. برای اکثر تجهیزات FACTS، تریستور یک تجهیز نیمه‌هادی بسیار ضروری است. با این حال، تریستور نسبت به تنش‌های ولتاژ و تنش‌های جریان؛ یعنی dv/dt، di/dt؛ و دمای محل اتصال آن بسیار حساس و شکننده است. به منظور افزایش قابلیت اعتماد ادوات FACTS، لازم است تا برای دریچه تریستور فشارقوی(HV) تحقیقاتی صورت گرفته و تجهیزات مربوطه توسعه یابد. از آنجا که ظرفیت ادوات FACTS به طور پیوسته در حال افزایش است، تحقق یک تست مسفتیم برای دریچه تریستور فشارقوی به سختی امکانپذیر است. در حال حاضر، یک تست ترکیبی یگ گزینه مناسب برای تست بخش دریچه است، که شامل چندین سطح از تریستورهای با اتصال سری است [9]-[12]. در چیدمان تست ترکیبی، جریان زیاد و ولتاژ بالا (HV) توسط دو منبع مجزا به ترتیب تولید می‌شوند. این روش از لحاظ اقتصادی بسیار مقرون به صرفه است، چون به طور قابل توجهی ظرفیت تجهیزات تست را کاهش می‌دهد [11]. در دهه 1990، چند شرکت بین‌المللی برای اهداف مختلف تست، مدارهای تست با مقادیر نامی مختلفی ارائه دادند. برای مثال، چیدمان تست ترکیبی ولتاژ بالا و جریان زیاد در شرکت ABB سوئیس به ترتیب برابر 50 kV (پیک) و 4500 A (موثر) بودند [13]. این تست را می‌توان روی دریچه‌های تریستوری SVC انجام داد. با این حال، مقدار نامی ولتاژ اندکی کم است، و تست ترکیبی نمی‌تواند ولتاژ بالای پیشرو را قبل از تحمل اضافه‌جریان دریچه تریستور بازتولید کند. ولتاژ بالا و جریان زیاد چیدمان تست ترکیبی در شرکت ABB سوئد به ترتیب برابر 70 kV (پیک) و 4000 A (پیک) هستند [10]-[12]. با این حال، این تست را می‌توان برای دریچه تریستور HVDC اعمال کرد. ولتاژ بالا و جریان زیاد چیدمان تست ترکیبی در شرکت زیمنس به ترتیب برابر 60 kV (پیک) و 2600 A (موثر) هستند [9]. با اینکه چیدمان تست برای دریچه‌های تریستوری FACTS و HVDC مناسب هستند، اما فرکانس رزونانس آن ثابت است. همچنین، این چیدمان قادر نیست تا ولتاژ معکوس بازیابی دریچه‌های تریستوری را پس از تحمل اضافه جریان بازتولید کند. در سال 2004، موسسه تحقیقاتی برق چین (CEPRI) چیدمان تست ترکیبی خود را به ترتیب با ولتاژ و جریان نامی 80 kV (پیک) و ac 4000 (موثر)/ dc 5000 A بنا کردند. این تاسیسات تست می‌تواند ولتاژ بالای پیشرو را قبل از تحمل اضافه جریان توسط دریچه تریستور و ولتاژ معکوس بازیابی را پس از تحمل اضافه جریان توسط دریچه‌های تریستور بازتولید کند. این تاسیسات به طور کامل قادر است تا تست نوع عملکردی را برای دریچه تریستور ادوات FACTS و HVDC به توجه به استانداردهای IEC/IEEE انجام دهد [14]، [15]. این تاسیسات تست به طور موفقیت‌آمیزی در چین برای تست بیش از 100 پروژه به کار رفته است، مثل پروژه راکتور شنت ولتاژبالای کنترل‌پذیر(SVC) 750 kV دونهوانگ در سال 2011، پروژه SVC 500 kV تاکزیانگ در سال 2010 و پروژه 500 kV TCSC ییمین- فنگتون در سال 2007. در این مقاله، مدارهای اصلی تست افزایش دما، تست اضافه جریان، و تست ترکیبی با توجه به طرح چیدمان تست ترکیبی شرکت ABB، شرکت زیمنس، و [16]، [17] بهبود یافته است. راه‌اندازی پیوسته ولتاژ پایین برای کنترل درچه تریستور ارائه شده است. سپس، اضافه ولتاژِ حالت تست جریان زیاد و روش حفاظتی تجزیه و تحلیل شده است. در نهایت، سه نوع تست دریچه تریستور انجام شده است.

دانلود رایگان 2 صفحه اول مقاله لاتین (PDF)

پیش نمایش مقاله

چکیده انگلیسی

Developed synthetic test circuits for thyristor valves of flexible ac transmission systems (FACTS) are established in this paper. By controlling the thyristor valves of synthetic test circuits, it can reproduce test stresses, including, but not limited to, the forward high voltage before the thyristor valve withstanding overcurrent and reverse recovery voltage after thyristor valves withstanding overcurrent, on thyristor valves in FACTS equipment equal to or greater than those that appear in commercial projects. With corresponding test circuits and control strategies, the temperature-rise test, overcurrent test, and the synthetic test for thyristor valves can be performed, respectively. Then, a protection method of synthetic test circuits is presented. Finally, a temperature-rise test platform, overcurrent test platform, and synthetic test platform for thyristor valves have been set up, respectively. The test results show that the developed circuit and proposed control and protect strategies are available to test for thyristor valves used in FACTS.