دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 57166
ترجمه فارسی عنوان مقاله

تاثیر شرایط بارگذاری خمشی بر قابلیت اطمینان فلزی برداشت شده از جوهر چاپ شده و تبخیر شده بر روی بسترهای پلاستیکی

عنوان انگلیسی
The effect of bending loading conditions on the reliability of inkjet printed and evaporated silver metallization on polymer substrates
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی
57166 2016 5 صفحه PDF
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Reliability, Volume 56, January 2016, Pages 109–113

ترجمه کلمات کلیدی
جوهر چاپی نقره ای، الکترونیک چاپ شده، بستر انعطاف پذیر، آزمون خمش کششی، فشاری، تراکم تراکم
کلمات کلیدی انگلیسی
Inkjet printed silver; Printed electronics; Flexible substrate; Bending test; Tensile; Compressive; Crack density
ترجمه چکیده
بررسی سیستماتیک اثر سویه های خمش کششی و فشاری خمشی بر قابلیت اطمینان مکانیکی خطوط نقره هدایت جوهر چاپی و تبخیر شده بر روی زمینه های پلی اتیلن نفتالیت ارائه شده است. با استفاده از یک دستگاه تست خمش جدید نشان داده شده است که سویه های خمشی کششی، فشاری و مخلوط سیکل مخلوط باعث ایجاد مقادیر مختلف آسیب مکانیکی القا شده در خطوط نقره ای چاپ شده می شود. در مقابل، نقره های نقره ای با همان هندسه نشان دهنده وابستگی به نوع سوپرمن نیستند. مقیاس دقیق مکانیزم شکست در نقره چاپ شده و تبخیر شده با استفاده از میکروسکوپ الکترونی اسکن و تحلیل پرتو یون متمرکز شده است.

چکیده انگلیسی

Systematic investigation of the effect of tensile and compressive cyclic bending strains on the mechanical reliability of inkjet printed and evaporated conductive silver lines on polyethylene naphthalate substrates is presented. With the help of a new bending test apparatus it is shown that cyclic tensile, compressive, and mixed tensile-compressive bending strains result in different amounts of induced mechanical damage in printed silver lines. In contrast, evaporated silver lines with the same geometry show no dependence on the type of strain. A detailed comparison of the fracture mechanisms in printed and evaporated silver is given using scanning electron microscopy and focused ion beam analysis.