ترجمه فارسی عنوان مقاله
یک سلول نامتقارن SRAM 6T جدید با کمک روش نوشتن در تکنولوژی CMOS با 65 نانومتر
عنوان انگلیسی
A new asymmetric 6T SRAM cell with a write assist technique in 65 nm CMOS technology
کد مقاله | سال انتشار | تعداد صفحات مقاله انگلیسی | ترجمه فارسی |
---|---|---|---|
56057 | 2014 | 10 صفحه PDF | سفارش دهید |
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.
هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.
این مقاله تقریباً شامل 6939 کلمه می باشد.
هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:
شرح | تعرفه ترجمه | زمان تحویل | جمع هزینه |
---|---|---|---|
ترجمه تخصصی - سرعت عادی | هر کلمه 90 تومان | 11 روز بعد از پرداخت | 624,510 تومان |
ترجمه تخصصی - سرعت فوری | هر کلمه 180 تومان | 6 روز بعد از پرداخت | 1,249,020 تومان |
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)
Journal : Microelectronics Journal, Volume 45, Issue 11, November 2014, Pages 1556–1565
ترجمه کلمات کلیدی
SRAM؛ CMOS
کلمات کلیدی انگلیسی
SRAM; Write Margin; Read Static Noise Margin; CMOS