دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56057
ترجمه فارسی عنوان مقاله

یک سلول نامتقارن SRAM 6T جدید با کمک روش نوشتن در تکنولوژی CMOS با 65 نانومتر

عنوان انگلیسی
A new asymmetric 6T SRAM cell with a write assist technique in 65 nm CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56057 2014 10 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 6939 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 11 روز بعد از پرداخت 124,902 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 6 روز بعد از پرداخت 249,804 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

سفارش تولید محتوا کد تخفیف 10 درصدی: isiArticles
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Journal, Volume 45, Issue 11, November 2014, Pages 1556–1565

ترجمه کلمات کلیدی
SRAM؛ CMOS
کلمات کلیدی انگلیسی
SRAM; Write Margin; Read Static Noise Margin; CMOS
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله یک سلول نامتقارن SRAM 6T جدید با کمک روش نوشتن در تکنولوژی CMOS با 65 نانومتر

چکیده انگلیسی

A new asymmetric 6T-SRAM cell design is presented for low-voltage low-power operation under process variations. The write margin of the proposed cell is improved by the use of a new write-assist technique. Simulation results in 65 nm technology show that the proposed cell achieves the same RSNM as the asymmetric 5T-SRAM cell and 77% higher RSNM than the standard 6T-SRAM cell while it is able to perform write operation without any write assist at VDD=1 V. Monte Carlo simulations for an 8 Kb SRAM (256×32) array indicate that the scalability of operating supply voltage of the proposed cell can be improved by 10% and 21% compared to asymmetric 5T- and standard 6T-SRAM cells; 21% and 53% lower leakage power consumption, respectively. The proposed 6T-SRAM cell design achieves 9% and 19% lower cell area overhead compared with asymmetric 5T- and standard 6T-SRAM cells, respectively. Considering the area overhead for the write assist, replica column and the replica column driver of 2.6%, the overall area reduction in die area is 6.3% and 16.3% as compared with array designs with asymmetric 5T- and standard 6T-SRAM cells.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 6939 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 11 روز بعد از پرداخت 124,902 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 6 روز بعد از پرداخت 249,804 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.