دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56062
ترجمه فارسی عنوان مقاله

دیودهای نوری با سرعت بالا در تکنولوژی CMOS با 40 نانومتر استاندارد

عنوان انگلیسی
High-speed photodiodes in 40 nm standard CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56062 2013 7 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 4427 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 8 روز بعد از پرداخت 79,686 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 4 روز بعد از پرداخت 159,372 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

سفارش تولید محتوا کد تخفیف 10 درصدی: isiArticles
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Sensors and Actuators A: Physical, Volume 193, 15 April 2013, Pages 213–219

ترجمه کلمات کلیدی
دیودهای نوری سیلیکون؛ روند CMOS نانومتری - ارتباطات نوری
کلمات کلیدی انگلیسی
Silicon photodiodes; Nanometer CMOS process; Short-reach optical communication
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله دیودهای نوری با سرعت بالا در تکنولوژی CMOS با 40 نانومتر استاندارد

چکیده انگلیسی

This work investigates two silicon (Si) photodiodes (PDs) fabricated in 40 nm standard CMOS technology. The basic structure of the proposed Si PD is formed by N+/P-substrate and N-well/P-substrate diodes. The N+/P-substrate PD demonstrates a responsivity of 0.09 A/W and an electrical bandwidth of 3 GHz for 8 V reverse bias at 520 nm. The N-well/P-substrate PD demonstrates a responsivity of 0.24A/W and an electrical bandwidth of 1.2 GHz for 14.8 V reverse bias at 660 nm. For 520 nm, the N-well/P-substrate PD shows a responsivity of 0.18A/W and an electrical bandwidth of 3.0 GHz for 14.8 V reverse bias.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 4427 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 8 روز بعد از پرداخت 79,686 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 4 روز بعد از پرداخت 159,372 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.