دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56119
ترجمه فارسی عنوان مقاله

ترانزیستور اثر میدانی مغناطیسی تخلیه اسپلیت بخش بر اساس تکنولوژی CMOS استاندارد

عنوان انگلیسی
Sector split-drain magnetic field-effect transistor based on standard CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56119 2005 5 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 2549 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 6 روز بعد از پرداخت 45,882 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 3 روز بعد از پرداخت 91,764 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

سفارش تولید محتوا کد تخفیف 10 درصدی: isiArticles
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Sensors and Actuators A: Physical, Volume 121, Issue 2, 30 June 2005, Pages 347–351

ترجمه کلمات کلیدی
ترانزیستور اثر میدانی مغناطیسی تخلیه اسپلیت (MOSFET)؛ مدل سازی؛ حساسیت
کلمات کلیدی انگلیسی
Split-drain magnetic field-effect transistor (MAGFET); Modeling; Sensitivity
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله ترانزیستور اثر میدانی مغناطیسی تخلیه اسپلیت بخش بر اساس تکنولوژی CMOS استاندارد

چکیده انگلیسی

A novel sector split-drain magnetic field-effect transistor (MAGFET), which is compatible with standard 0.6 μm N-well CMOS technology, has been suggested and an analytical model of the sector MAGFET is also developed. The model of sector MAGFET is focused on the effect of primary geometric parameters to sensor sensitivity. In order to verify the advantage of the sector MAGFET, the sector structure is also compared with traditional rectangle structure by the simulations and the experiments. The maximum sensor sensitivity of 3.77%/T of the sector MAGFET is obtained by the experimental results and improvements of sensitivity are attributed to sector structure.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 2549 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 6 روز بعد از پرداخت 45,882 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 3 روز بعد از پرداخت 91,764 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.