ترجمه فارسی عنوان مقاله
روش تراکم Ge: یک راه حل هم انباشتگی برای SOI GeOI مسطح برای فن آوری های پیشرفته CMOS؟
عنوان انگلیسی
The Ge condensation technique: A solution for planar SOI/GeOI co-integration for advanced CMOS technologies?
کد مقاله | سال انتشار | تعداد صفحات مقاله انگلیسی | ترجمه فارسی |
---|---|---|---|
56121 | 2008 | 9 صفحه PDF | سفارش دهید |
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.
هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.
این مقاله تقریباً شامل 5408 کلمه می باشد.
هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:
شرح | تعرفه ترجمه | زمان تحویل | جمع هزینه |
---|---|---|---|
ترجمه تخصصی - سرعت عادی | هر کلمه 90 تومان | 9 روز بعد از پرداخت | 486,720 تومان |
ترجمه تخصصی - سرعت فوری | هر کلمه 180 تومان | 5 روز بعد از پرداخت | 973,440 تومان |
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)
Journal : Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 11, Issues 5–6, October 2008, Pages 205–213
ترجمه کلمات کلیدی
ژرمانیوم 81 - 05 - Hd - 81 - 05 - Zx در عایق - روش تراکم GE؛ بسترهای ترکیبی SOI-GEO
کلمات کلیدی انگلیسی
81.05.Hd; 81.05.ZxGermanium on insulator; Ge condensation technique; SOI–GeOI hybrid substrates