دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56153
ترجمه فارسی عنوان مقاله

مدل قابلیت اطمینان ادویه مانند برای تکنولوژی CMOS ساب میکرون عمیق

عنوان انگلیسی
A spice-like reliability model for deep-submicron CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی
56153 2005 6 صفحه PDF
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 49, Issue 10, October 2005, Pages 1702–1707

ترجمه کلمات کلیدی
دستگاه های MOS - قابلیت اطمینان؛
کلمات کلیدی انگلیسی
MOS devices; Reliability; Hot-carrier stress
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله  مدل قابلیت اطمینان ادویه مانند برای تکنولوژی CMOS ساب میکرون عمیق

چکیده انگلیسی

Continuing down scaling in CMOS technology has resulted in an increasing and urgent need for a Spice-like reliability model that is capable of predicting the long-term degradation of MOS devices and ICs. In this paper, we develop such a model based on the industry standard BSIM3 model and empirical degradation expressions for the threshold voltage and mobility of MOSFETs. The model is implemented in Cadence Spectre via Verilog-A, and good agreements between the measured and simulated results have been obtained for devices fabricated from the 0.18-μm CMOS technology.