دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56190
ترجمه فارسی عنوان مقاله

بهینه سازی ترانزیستور برای یک فناوری CMOS میکرومتر 0.13 با هزینه پایین و با کارایی بالا

عنوان انگلیسی
Transistor optimisation for a low cost, high performance 0.13 μm CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56190 2002 5 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 1507 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 4 روز بعد از پرداخت 27,126 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 2 روز بعد از پرداخت 54,252 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

سفارش تولید محتوا کد تخفیف 10 درصدی: isiArticles
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 46, Issue 7, July 2002, Pages 959–963

ترجمه کلمات کلیدی
پردازش CMOS ؛ کاشت یون؛ BF2 کاشت یون؛
کلمات کلیدی انگلیسی
CMOS processing; Nitrided oxide; Boron ion implantation; BF2 ion implantation; Spike rapid thermal anneal
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله بهینه سازی ترانزیستور برای یک فناوری CMOS میکرومتر 0.13 با هزینه پایین و با کارایی بالا

چکیده انگلیسی

This paper discusses the optimisation of a high performance, low cost 0.13 μm CMOS technology with a view on its further scaling to the 100 nm technology node. The focus is mainly on gate oxide (thickness and nitridation method), deep junction implants and annealing. It is shown that in order to take the full benefit of gate oxide thinning, low energy boron implants and spike rapid thermal anneal are mandatory for pMOS devices. The same route gives also promising results for nMOS transistors when gate predoping is used to reduce gate depletion.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 1507 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 4 روز بعد از پرداخت 27,126 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 2 روز بعد از پرداخت 54,252 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.