ترجمه فارسی عنوان مقاله
نیترید سیلیکون فوق العاده نازک با رسوب شیمیایی بخار سیم داغ (HWCVD) برای فن آوری های CMOS عمیق زیر میکرون
عنوان انگلیسی
Ultra-thin silicon nitride by hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) for deep sub-micron CMOS technologies
کد مقاله | سال انتشار | تعداد صفحات مقاله انگلیسی |
---|---|---|
56193 | 2002 | 5 صفحه PDF |
منبع
Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)
Journal : Microelectronic Engineering, Volumes 61–62, July 2002, Pages 625–629
ترجمه کلمات کلیدی
نیترید سیلیکون با دمای پایین ؛دی الکتریک K بالا ؛ HWCVD
کلمات کلیدی انگلیسی
Low-temperature silicon nitride (Si3N4); High-K dielectric; HWCVD