دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56193
ترجمه فارسی عنوان مقاله

نیترید سیلیکون فوق العاده نازک با رسوب شیمیایی بخار سیم داغ (HWCVD) برای فن آوری های CMOS عمیق زیر میکرون

عنوان انگلیسی
Ultra-thin silicon nitride by hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) for deep sub-micron CMOS technologies
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی
56193 2002 5 صفحه PDF
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volumes 61–62, July 2002, Pages 625–629

ترجمه کلمات کلیدی
نیترید سیلیکون با دمای پایین ؛دی الکتریک K بالا ؛ HWCVD
کلمات کلیدی انگلیسی
Low-temperature silicon nitride (Si3N4); High-K dielectric; HWCVD
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله  نیترید سیلیکون فوق العاده نازک با رسوب شیمیایی بخار سیم داغ (HWCVD) برای فن آوری های CMOS عمیق زیر میکرون

چکیده انگلیسی

Silicon nitride is considered a promising candidate to replace thermal oxide dielectrics, as the latter is reaching its scaling limits due to the excessive increase in the gate tunneling leakage current. The novel hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) technique shows promise for gate quality silicon nitride film yields at 250 °C while maintaining their primary advantage of a higher dielectric constant of 7.1. In this paper we report the results of our efforts towards developing ultra-thin HWCVD silicon nitride as an advanced gate dielectric for the replacement of thermal gate oxides in future generations of ultra large scale integration (ULSI) devices.