دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 110561
ترجمه فارسی عنوان مقاله

تأثیر عوامل محیطی بر ماژول های فتوولتائیک بر پایه سیگنال پس از دراز مدت در فضای باز با استفاده از تحلیل رگرسیون چندگانه

عنوان انگلیسی
Influences of environmental factors on Si-based photovoltaic modules after longtime outdoor exposure by multiple regression analysis
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی
110561 2017 6 صفحه PDF
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Renewable Energy, Volume 101, February 2017, Pages 10-15

ترجمه کلمات کلیدی
تجزیه و تحلیل رگرسیون چندگانه، ضرایب رگرسیون جزئی جزئی. عملکرد خارج از منزل، فاکتورهای محیطی، ماژول فتوولتائیک مبتنی بر سی،
کلمات کلیدی انگلیسی
Multiple regression analysis; Standard partial regression coefficients; Outdoor performance; Environmental factors; Si-based photovoltaic modules;
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله  تأثیر عوامل محیطی بر ماژول های فتوولتائیک بر پایه سیگنال پس از دراز مدت در فضای باز با استفاده از تحلیل رگرسیون چندگانه

چکیده انگلیسی

Degradation of Si-based photovoltaic (PV) modules after longtime outdoor exposure is quantitatively investigated using multiple regression analysis. Performance ratios (PR) of the PV modules are primarily influenced not only by irradiation intensity on tilted surface (IrrT), average photon energy (APE), and module temperature (Tmod) but also by angle of incidence (AOI). It is demonstrated that multiple regression analysis allows us to independently and quantitatively identify how each IrrT, APE, Tmod, or AOI (environmental factors) relates to the PR (outcome), thus leading to the understanding of impacts of environmental factors on physical properties of the Si-based PV modules. After longtime outdoor exposure, the influences of IrrT, APE, and AOI on the PR of multi-crystalline (mc-Si) and single-crystalline (c-Si) modules are severely increased, resulting from the decay of interconnection and discoloration of ethylene vinyl acetate films. The dependences of environmental factors on the PR of hydrogenated amorphous (a-Si) modules do not change as much as those on PR of mc-Si and c-Si modules do because of differences in the module structures.