دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56052
ترجمه فارسی عنوان مقاله

تکنیک جدید به کمک نوشتن برای طراحی SRAM در تکنولوژی CMOS با 6 نانومتر

عنوان انگلیسی
A new write assist technique for SRAM design in 65 nm CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56052 2015 12 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 8899 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 13 روز بعد از پرداخت 160,182 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 7 روز بعد از پرداخت 320,364 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

سفارش تولید محتوا کد تخفیف 10 درصدی: isiArticles
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Integration, the VLSI Journal, Volume 50, June 2015, Pages 16–27

ترجمه کلمات کلیدی
طراحی SRAM ؛ تکنولوژی CMOS
کلمات کلیدی انگلیسی
SRAM; Write margin; Read static noise margin; Write assist
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله تکنیک جدید به کمک نوشتن برای طراحی SRAM در تکنولوژی CMOS با 6 نانومتر

چکیده انگلیسی

In this paper, a new write assist technique for SRAM arrays is proposed. In this technique, to improve the write features of the SRAM cell, a negative voltage is applied to one of the bitlines in the SRAM cell while another bitline is connected to a boosted voltage. Improved write features are attributed to the boosting scheme from both sides of the SRAM cell. This technique is applied to a 10T-SRAM cell with transmission-gate access devices. The proposed design gives 2.7×, 2.1× faster write time, 82% and 18% improvement in write margin compared with the standard 8T-SRAM cell with and without write assist, respectively. All simulations have been done in TSMC 65 nm CMOS technology. The proposed write assist technique enables 10T-SRAM cell to operate with 24% lower supply voltage compared with standard 8T-SRAM cell with negative bitline write assist. Due to the improved supply voltage scalability a 33% leakage power reduction is achieved.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 8899 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 13 روز بعد از پرداخت 160,182 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 7 روز بعد از پرداخت 320,364 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.