دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56053
ترجمه فارسی عنوان مقاله

سلول های جدید حافظه پیکربندی برای FPGA در تکنولوژی CMOS در مقیاس نانو

عنوان انگلیسی
New configuration memory cells for FPGA in nano-scaled CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56053 2011 21 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 9351 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 14 روز بعد از پرداخت 168,318 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 7 روز بعد از پرداخت 336,636 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

سفارش تولید محتوا کد تخفیف 10 درصدی: isiArticles
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Journal, Volume 42, Issue 11, November 2011, Pages 1187–1207

ترجمه کلمات کلیدی
سلول حافظه پیکربندی؛ اعتصاب ذرات؛ شارژ حساس؛ نرخ خطای نرم؛ جریان نشتی - سطح سلول
کلمات کلیدی انگلیسی
Configuration memory cell; Particle strike; Critical charge; Soft error rate; Leakage current; Cell area
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله سلول های جدید حافظه پیکربندی برای FPGA در تکنولوژی CMOS در مقیاس نانو

چکیده انگلیسی

In nano-scaled CMOS technology, the reduction of soft error rate and leakage current are the most important challenges in designing Field Programmable Gate Arrays (FPGA). To overcome these challenges, based on the observations that most configuration bit-streams of FPGA are zeros across different designs and that configuration memory cells are not directly involved with signal propagation delays in FPGA, this paper presents three new low-leakage and hardened configuration memory cells for nano-scaled CMOS technology. These cells are completely hardened when zeros are stored in the cells and cannot flip from particle strikes at the sensitive cell nodes. These cells retain their data with leakage currents and positive feedback without a refresh cycle. Simulation results show that the proposed cells are working correctly during their configuration and idle cycles and that our cells have a lower soft error rate and leakage current in 22-nm as well as in 65-nm technologies.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 9351 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 14 روز بعد از پرداخت 168,318 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 7 روز بعد از پرداخت 336,636 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.